
دانلود مدل دو بعدی نانو ترانزیستورهای دو گیتی بدون اتصال در حضور حاملهای داغ فایل ورد (word) دارای 11 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد دانلود مدل دو بعدی نانو ترانزیستورهای دو گیتی بدون اتصال در حضور حاملهای داغ فایل ورد (word) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مدل دو بعدی نانو ترانزیستورهای دو گیتی بدون اتصال در حضور حاملهای داغ فایل ورد (word) ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
در این مقاله ابتدا یک مدل پتانسیل دو بعدی برای تانزیستورهای بدون اتصال دو گیتی در حضور بارهای به دام افتاده پیشنهاد شده است. مدل به دست آمده بر پایه تلفیق روش مد ناپایدار و تقریب سهمی می باشد. براین اساس پتانسیل به صورت مجموع مولفه یک بعدی پتانسیل کانال بلند و مولفه دو بعدی کانال کوتاه به دست می آید. در قطعات با طول کانال کوتاه، در بخشی از کانال بارهای به دام افتاده در سطح واسط نیمه هادی و اکسید گیت در نظر گرفته می شود. این بارها بر روی مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر می گذراند. با استفاده از مدل پتانسیل به دست آمده در حضور بارهای به دام افتاده، اثرات کانال کوتاه مانند تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل القایی درین و شیب زیر آستانه بررسی و برای آنها روابطی تحلیلی ارائه می شود. برای تایید دقت مدل تحلیلی، نتایج مدل پیشنهادی با نتایج حاصل از شبیه ساز قطعه ATLAS مقایسه می شود.
